相对应于传统MOSFET以及IGBT有以下优点：

1：高工作频率：传统MOSFET工作频率在60KHZ左右，而碳化硅MOSFET在1MHZ

用途：高频工作，可以减小电源系统中电容以及电感或变压器的体积，降低电源成本，让电源实现小型化，美观化。从而实现电源的升级换代。

2：低导通阻抗，碳化硅MOSFET单管最小内阻可以达到15毫欧，这对于传统的MOSFET看来是不可想象的。

用途：轻松达到能效要求，减少散热片使用，降低电源体积和重量，电源温度更低，可靠性更高。

3：耐压高，碳化硅MOSFET目前量产的耐压可达3300V，一般MOSFET耐压900V,IGBT常见耐压1200V.

4:耐高温，碳化硅MOSFET芯片结温可达300度，可靠性，稳定性大大高于传统MOSFET

综上所述：使用碳化硅MOSFET可以让电源实现高效率，小体积，在一些高温，高压环境，必用不可。